close
آخرین مطالب
قیمت گوشی موبایل
قیمت انواع گوشی
قیمت موبایل
قیمت گوشی موبایل سامسونگ
قیمت گوشی موبایل شیائومی
قیمت گوشی موبایل هواوی
قیمت گوشی موبایل اپل
قیمت گوشی موبایل ال جی
قیمت گوشی موبایل اچ تی سی
قیمت گوشی موبایل ایسوس
قیمت گوشی موبایل لنوو
قیمت گوشی موبایل سونی
قیمت گوشی موبایل نوکیا
قیمت گوشی موبایل کاترپیلار
قیمت هارد
قیمت فلش مموری
قیمت مودم
قیمت تبلت
قیمت کابل شبکه
قیمت صندوق فروشگاهی
loading...
YourAds Here YourAds Here

زومیت - اخبار تکنولوژی

بازدید : 1
سه شنبه 29 خرداد 1396 زمان : 1:06

سامسونگ تولید تراشه‌های V-NAND سریع ۶۴ لایه را افزایش می‌دهد

سامسونگ که یکی از رهبران جهانی تکنولوژی تراشه‌های حافظه در سراسر دنیا است، امروز اعلام کرد که تولید تراشه‌های حافظه ۶۴ لایه V-NAND با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایت را برای استفاده در سرور، موبایل‌ و پی‌سی‌ آغاز کرده است. سامسونگ برای اینکه بتواند مزیت رقابتی خود را حفظ کند، قصد دارد تولید این حافظه‌ها را تا پایان سال به‌گونه‌ای افزایش دهد که ۵۰ درصد از حافظه‌های NAND تولیدی این شرکت، تراشه ۶۴ لایه V-NAND باشد.

کای هیون کیونگ، مدیر ارشد بخش حافظه سامسونگ، می‌گوید:

در ادامه تعهد ما به تکنولوژی خلاقانه، ما مرزهای تولید V-NAND را جابه‌جا می‌کنیم و صنعت را به عصر V-NAND ترابایتی نزدیک می‌کنیم. ما به توسعه نسل بعدی V-NAND ادامه می‌دهیم.

وی نند

تراشه‌های حافظه ۶۴ لایه V-NAND با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایت سامسونگ، نرخ انتقال داده یک گیگابیت بر ثانیه دارند که در حال حاضر بیشترین نرخ انتقال داده در بین حافظه‌های NAND است. با توجه به عرضه فراوان حافظه‌های V-NAND، سامسونگ انتظار دارد صنعت به‌جای تمرکز بر افزایش تولید، بر عملکرد و اتکاپذیری تمرکز کند.

تراشه‌های ۶۴ لایه V-NAND با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایت، ۳۰ درصد بازدهی بهتری نسبت به تراشه‌های ۴۸ لایه V-NAND با ظرفیت ۲۵۶ گیگابایت دارند. بعلاوه، تراشه‌های ۶۴ لایه V-NAND تنها به ۲.۵ ولت انرژی نیاز دارند که در مقایسه با ۳.۳ ولت تراشه‌های ۴۸ لایه V-NAND، شاهد بهبود مصرف انرژی ۳۰ درصدی هستیم. در کل می‌توان گفت تراشه‌های جدید V-NAND حدود ۲۰ درصد اتکاپذیری بهتری نسبت به نسل قبل دارند.

وی نند

سامسونگ حدود ۱۵ سال سابقه تحقیق در زمینه ساختارهای سه‌بعدی V-NAND دارد و تا به حال موفق شده است ۵۰۰ پتنت در این زمینه به ثبت برساند. سامسونگ توانسته است به تکنولوژی بنیادین تولید V-NAND ترابایتی با بیش از ۹۰ لایه دست یابد.

نظرات این مطلب

تعداد صفحات : 419

درباره ما
اطلاعات کاربری
نام کاربری :
رمز عبور :
  • فراموشی رمز عبور؟
  • آرشیو
    خبر نامه


    معرفی وبلاگ به یک دوست


    ایمیل شما :

    ایمیل دوست شما :



    چت باکس




    captcha


    پیوندهای روزانه
    آمار سایت
  • کل مطالب : 1
  • کل نظرات : 0
  • افراد آنلاین : 1
  • تعداد اعضا : 0
  • بازدید امروز : 221
  • بازدید کننده امروز : 35
  • باردید دیروز : 1003
  • بازدید کننده دیروز : 0
  • گوگل امروز : 0
  • گوگل دیروز : 0
  • بازدید هفته : 1736
  • بازدید ماه : 12944
  • بازدید سال : 35248
  • بازدید کلی : 35248
  • آخرین نظرات
    کدهای اختصاصی